Samsung Solid State Drives

Übertreffen Sie die Kapazitätsgrenzen mit Samsung V-NAND.

Die V-NAND-Flash-Technik durchbricht die Kapazitätsgrenzen durch ihre innovative vertikale Architektur. Das Ergebnis ist eine höhere Zelldichte für mehr Kapazität, frei von Interferenzen von Zelle zu Zelle, die neue Standards im Hinblick auf Geschwindigkeit, Energieeffizienz und Leistung setzt.

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Roman Steinkogler

Product Manager
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roman.steinkogler@ingrammicro.com
Tel: +43-1-4081543-379


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